當前位置:深圳市中圖儀器股份有限公司>>半導體專業(yè)檢測設備>>晶圓形貌測量系統(tǒng)>> WD4000晶圓幾何形貌量測機
WD4000晶圓幾何形貌量測機通過非接觸測量,,自動測量 Wafer 厚度、表面粗糙度,、三維形貌,、單層膜厚、多層膜厚,。將晶圓的三維形貌進行重建,,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,,BOW,、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產生劃痕缺陷,。
WD4000晶圓幾何形貌量測機兼容不同材質不同粗糙度,、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數據更準確,。采用高精度光譜共焦傳感技術,、光干涉雙向掃描技術,完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,,實現晶圓厚度,、TTV、LTV,、Bow,、Warp、TIR,、SORI,、等反應表面形貌的參數。
產品優(yōu)勢
1,、非接觸厚度,、三維維納形貌一體測量
集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組,,使用一臺機器便可完成厚度,、TTV,、LTV、BOW,、WARP,、粗糙度、及三維形貌的測量,。
2,、高精度厚度測量技術
(1)采用高分辨率光譜共焦對射技術對Wafer進行高效掃描。
(2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤,,晶圓規(guī)格可支持至12寸,。
(3)采用Mapping跟隨技術,可編程包含多點,、線,、面的自動測量。
3,、高精度三維形貌測量技術
(1)采用光學白光干涉技術,、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,Z向分辨率高可到0.1nm,;
(2)隔振設計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲,,獲得高測量重復性。
(3)機器視覺技術檢測圖像Mark點,,虛擬夾具擺正樣品,,可對多點形貌進行自動化連續(xù)測量。
4,、大行程高速龍門結構平臺
(1)大行程龍門結構(400x400x75mm),,移動速度500mm/s。
(2)高精度花崗巖基座和橫梁,,整體結構穩(wěn)定,、可靠。
(3)關鍵運動機構采用高精度直線導軌導引,、AC伺服直驅電機驅動,,搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng),保證設備的高精度,、高效率,。
5、操作簡單,、輕松無憂
(1)集成XYZ三個方向位移調整功能的操縱手柄,,可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準工作,。
(2)具備雙重防撞設計,,避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況,。
(3)具備電動物鏡切換功能,讓觀察變得快速和簡單,。
測量功能
1,、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化),、LTV,、BOW、WARP,、TIR,、SORI,、平面度,、等;
2,、顯微形貌測量模塊:粗糙度,、平整度、微觀幾何輪廓,、面積,、體積等,。
3,、提供調整位置、糾正,、濾波,、提取四大模塊的數據處理功能,。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能,;糾正包括空間濾波,、修描、尖峰去噪等功能,;濾波包括去除外形,、標準濾波、過濾頻譜等功能,;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能,。
4、提供幾何輪廓分析,、粗糙度分析,、結構分析、頻率分析,、功能分析等五大分析功能,。幾何輪廓分析包括臺階高,、距離、角度,、曲率等特征測量和直線度,、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度,、ISO25178面粗糙度,、ISO12781平整度等全參數;結構分析包括孔洞體積和波谷,。
應用場景
1,、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量
通過非接觸測量,,將晶圓上下面的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,、粗糙度,、總體厚度變化(TTV),有效保護膜或圖案的晶片的完整性,。
2,、無圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩(wěn)定性來反饋加工質量,。在生產車間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片,,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數據計算重復性為0.046987nm,,測量穩(wěn)定性良好,。
部分技術規(guī)格
品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
型號 | WD4000系列 |
測量參數 | 厚度、TTV(總體厚度變化),、BOW,、WARP、LTV,、粗糙度等 |
可測材料 | 砷化鎵,、氮化鎵、磷化鎵,、鍺,、磷化銦、 鈮酸鋰,、藍寶石,、硅、碳化硅,、氮化鎵,、玻璃,、外延材料等 |
厚度和翹曲度測量系統(tǒng) | |
可測材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
測量范圍 | 150μm~2000μm |
掃描方式 | Fullmap面掃、米字,、自由多點 |
測量參數 | 厚度,、TTV(總體厚度變 化)、LTV,、BOW,、WARP、平面度,、線粗糙度 |
三維顯微形貌測量系統(tǒng) | |
測量原理 | 白光干涉 |
干涉物鏡 | 10X(2.5X,、5X、20X,、50X,可選多個) |
可測樣品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重復性 | 0.005nm |
測量參數 | 顯微形貌 ,、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數 |
膜厚測量系統(tǒng) | |
測量范圍 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可測厚度 | 0.4um |
紅外干涉測量系統(tǒng) | |
光源 | SLED |
測量范圍 | 37-1850um |
晶圓尺寸 | 4",、6",、8",、12" |
晶圓載臺 | 防靜電鏤空真空吸盤載臺 |
X/Y/Z工作臺行程 | 400mm/400mm/75mm |
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